四氟化硅( SiF4 ) 中雜質主要包括硅烷、磷烷、氟代烷、C2 ～ C3 碳氫化合物以及常見氣體雜質等，這些雜質的存在嚴重影響了SiF4 的使用性能，但從實際生產中，又不能將雜質完全去除。

    脈沖放電氦離子檢測器( PDHID) 是PDD 系列中最為成功的一種檢測器，與其它離子化檢測器比較它有許多獨特的特性，對幾乎所有無機和有機化合物均有很高的響應，特別適合高純氣體的分析。SiF4 氣體中有很多C2 ～ C3 碳氫化合和氟代烷烴雜質，常用的氫火焰( FID) 、熱導檢測器難以滿足檢測需要，單通道氦離子化檢測器只能檢測常見的氣體雜質，如H2、O2、N2、CO、CO2 等，無法檢測C2 ～ C3 碳氫化合物和氟代烷等雜質氣體，雙通道氦離子化氣相色譜是利用兩條不同的分析管路，同時對SiF4 中不同的雜質氣體進行檢測，采用程序升溫，使雜質氣體更容易被檢出，檢測范圍廣，因此，雙通道氦離子化檢測器更能滿足SiF4 氣體中雜質的檢測要求。

    由于SiF4 純度較高( ≥99． 99%) ，化學性質比較活潑，在空氣中遇水極易潮解，產生HF 和硅酸，對設備腐蝕性較大，也很容易造成管路堵塞。在檢測前，以高純氦氣充分吹掃管路后，采用三通閥切換進樣，利用預處理柱，將SiF4 主成分分離后，采用閥切割方法，將SiF4 主成分切割放空，使其無法進入檢測器系統，當主組分完全放空后，剩余的其它組分進入分析過程。

    普瑞GC-9280型氣相色譜儀配置雙通道氦離子化氣相色譜儀(PDHID) ，分析四氟化硅中微量硅烷、磷烷、氟代烷、C2 ～ C3 碳氫化合物以及常見氣體雜質的方法。由于四氟化硅具有很強的腐蝕性，在對其進行分析時，利用閥切割系統將大量的四氟化硅主要成分切割，及時地將四氟化硅反吹出去，使其不進入檢測器系統。經過將四氟化硅氣體進樣檢測驗證，該方法能夠有效測定四氟化硅氣體中多種微量雜質。

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